Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor www.qycomp.com TPC8012-H(TE12L,Q)
Número de pieza del fabricanteTPC8012-H(TE12L,Q)
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible454544 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TPC8012-H(TE12L,Q).pdf

Atributos del producto

Número de pieza TPC8012-H(TE12L,Q)
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso 0.001 KG
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Repuesto TPC8012-H(TE12L,Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor

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