Número de pieza del fabricante | TPN4R712MD,L1Q |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
Cantidad disponible | 85610 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | TPN4R712MD,L1Q.pdf |
Número de pieza | TPN4R712MD,L1Q |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | TPN4R712MD,L1Q |
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