| Numero di parte del produttore | TPN4R712MD,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 85610 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPN4R712MD,L1Q.pdf |
| Numero di parte | TPN4R712MD,L1Q |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | TPN4R712MD,L1Q |
I componenti QY hanno il prezzo migliore per TPN4R712MD,L1Q, vendiamo solo ricambi originali.
Se vuoi comprare TPN4R712MD,L1Q, puoi inviare una richiesta di preventivo o inviarci una e-mail, ti invieremo il preventivo entro 12 ore. Dopo la quotazione, è possibile effettuare l'ordine per TPN4R712MD,L1Q, ti invieremo la nostra fattura e ti spediremo in qualsiasi paese.
La nostra email: [email protected]
I componenti QY sono un distributore di calze di Toshiba Semiconductor and Storage tutte le serie Transistor - FET, MOSFET - Singoli componenti. È inoltre possibile acquistare altre parti di Toshiba Semiconductor and Storage e Transistor - FET, MOSFET - Singoli da noi. Ad esempio 2SA1162-O,LF, 2SA1298-Y,LF, 2SC3265-Y,LF, 2SC5232BTE85LF, 2SA1943-O(Q), 2SC5200-O(Q), 2SA1962-O(Q), 2SC5200N(S1,E,S), 2SA1943N(S1,E,S), TTA1943(Q) RMW200N03TB, CSD23203W, RS1E130GNTB, PMV50ENEAR, SUD45P03-09-GE3, CTLDM3590 TR, CTLDM7590 TR, CSD25211W1015, MCQ4407-TP, MCQ4438-TP.
Acquistare Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q con noi, risparmia tempo e denaro.