Vishay Semiconductor Diodes Division Distribuidor www.qycomp.com VS-GB200TH120N
Número de pieza del fabricanteVS-GB200TH120N
FabricanteVishay Semiconductor Diodes Division
categoria de productoTransistores - IGBT - Módulos
Cantidad disponible79050 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos VS-GB200TH120N.pdf

Atributos del producto

Número de pieza VS-GB200TH120N
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 360A
Potencia - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivo del proveedor Double INT-A-PAK
Peso 0.001 KG
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Repuesto VS-GB200TH120N

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Vishay Semiconductor Diodes Division Distribuidor

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