Vishay Semiconductor Diodes Division Distribuidor www.qycomp.com VS-GB200TH120N
Número da peça do fabricanteVS-GB200TH120N
FabricanteVishay Semiconductor Diodes Division
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Módulos
Quantidade disponível79050 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoIGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados VS-GB200TH120N.pdf

Atributos do produto

Número da peça VS-GB200TH120N
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo IGBT -
Configuração Half Bridge
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 360A
Power - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacote de dispositivos de fornecedores Double INT-A-PAK
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição VS-GB200TH120N

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Vishay Semiconductor Diodes Division Distribuidor

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