Vishay Semiconductor Diodes Division 살수 장치 www.qycomp.com VS-GB200TH120N
제조업체 부품 번호VS-GB200TH120N
제조사Vishay Semiconductor Diodes Division
제품 카테고리트랜지스터 - IGBT - 모듈
사용 가능한 수량79050 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 VS-GB200TH120N.pdf

제품 속성

부품 번호 VS-GB200TH120N
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 360A
전력 - 최대 1136W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급 업체 장치 패키지 Double INT-A-PAK
무게 0.001 KG
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