| Référence fabricant | APT33GF120B2RDQ2G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| quantité disponible | 184700 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | APT33GF120B2RDQ2G.pdf |
| Numéro d'article | APT33GF120B2RDQ2G |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 64A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Puissance - Max | 357W |
| Échange d'énergie | 1.315µJ (on), 1.515µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 170nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 14ns/185ns |
| Condition de test | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | APT33GF120B2RDQ2G |
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