Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APT33GF120B2RDQ2G
Numero di parte del produttoreAPT33GF120B2RDQ2G
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile184700 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1200V 64A 357W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APT33GF120B2RDQ2G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APT33GF120B2RDQ2G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 64A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Potenza - Max 357W
Cambiare energia 1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 14ns/185ns
Condizione di test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APT33GF120B2RDQ2G

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Microsemi Corporation Distributore

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