Référence fabricant | BR25G512FVT-3GE2 |
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Fabricant | Rohm Semiconductor |
catégorie de produit | Mémoire |
quantité disponible | 38870 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | SPI BUS EEPROM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | BR25G512FVT-3GE2.pdf |
Numéro d'article | BR25G512FVT-3GE2 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de la mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Écrire un temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface de mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8 V ~ 5.5 V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-TSSOP-B |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | BR25G512FVT-3GE2 |
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