Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com DF80R12W2H3_B11
Référence fabricantDF80R12W2H3_B11
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible57000 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT MODULE VCES 1200V 160A
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DF80R12W2H3_B11
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution -
Thermistance NTC -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange DF80R12W2H3_B11

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