Numero di parte del produttore | DF80R12W2H3_B11 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
Quantità disponibile | 57000 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 160A |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | DF80R12W2H3_B11.pdf |
Numero di parte | DF80R12W2H3_B11 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | DF80R12W2H3_B11 |
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