GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Distributeur www.qycomp.com GD25S512MDYIGR
Référence fabricantGD25S512MDYIGR
FabricantGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
catégorie de produitMémoire
quantité disponible168030 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionNOR FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article GD25S512MDYIGR
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 104MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 50µs, 2.4ms
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-WSON (6x8)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange GD25S512MDYIGR

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Distributeur

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