GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Distributore www.qycomp.com GD25S512MDYIGR
Numero di parte del produttoreGD25S512MDYIGR
fabbricanteGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Categoria di prodottoMemoria
Quantità disponibile168030 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneNOR FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati GD25S512MDYIGR.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte GD25S512MDYIGR
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NOR
Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock 104MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 50µs, 2.4ms
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O
Tensione - Fornitura 2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (6x8)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio GD25S512MDYIGR

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Distributore

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