Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IRLHM630TR2PBF
Référence fabricantIRLHM630TR2PBF
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible139520 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique IRLHM630TR2PBF.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article IRLHM630TR2PBF
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3170pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PQFN (3x3)
Paquet / cas 8-VQFN Exposed Pad
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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