Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRLHM630TR2PBF
Numero di parte del produttoreIRLHM630TR2PBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile139520 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRLHM630TR2PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRLHM630TR2PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3170pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (3x3)
Pacchetto / caso 8-VQFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRLHM630TR2PBF

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