ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com MJD122T4G
Référence fabricantMJD122T4G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples
quantité disponible76060 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article MJD122T4G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 4MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange MJD122T4G

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