| Référence fabricant | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
| quantité disponible | 9740 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | MT3S113TU,LF.pdf |
| Numéro d'article | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 5.3V |
| Fréquence - Transition | 11.2GHz |
| Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Puissance - Max | 900mW |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 3-SMD, Flat Leads |
| Package de périphérique fournisseur | UFM |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | MT3S113TU,LF |
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