| 제조업체 부품 번호 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF |
| 사용 가능한 수량 | 9740 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | MT3S113TU,LF.pdf |
| 부품 번호 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 5.3V |
| 빈도 - 전환 | 11.2GHz |
| 잡음 지수 (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| 이득 | 12.5dB |
| 전력 - 최대 | 900mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 공급 업체 장치 패키지 | UFM |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | MT3S113TU,LF |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. MT3S113TU,LF, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 MT3S113TU,LF, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 MT3S113TU,LF, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Toshiba Semiconductor and Storage 모든 시리즈 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Toshiba Semiconductor and Storage 과 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 우리로부터. 예 : DF5A6.8FUTE85LF, DF3A6.8UFU,LF, DF5A3.6FU(TE85L,F), DF5A6.2CFU(TE85L,F, DF5A6.2FU(TE85L,F), DF10G5M4N,LF, DF2S30CT,L3F, DF6F6.8MTU,LF, DF10G7M1N,LF, DF2S8.2FS,L3M KST10MTF, MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G, BFS17PE6327HTSA1, BFR193WH6327XTSA1, BFR193E6327HTSA1, BFR92PE6327HTSA1, BFR93AWH6327XTSA1, BFP193E6327HTSA1, BFP420FH6327XTSA1.
사다 Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.