| 제조업체 부품 번호 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF |
| 사용 가능한 수량 | 9740 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | MT3S113TU,LF.pdf |
| 부품 번호 | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 5.3V |
| 빈도 - 전환 | 11.2GHz |
| 잡음 지수 (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| 이득 | 12.5dB |
| 전력 - 최대 | 900mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 공급 업체 장치 패키지 | UFM |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | MT3S113TU,LF |
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