| Référence fabricant | RN1110MFV,L3F |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés |
| quantité disponible | 127060 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RN1110MFV,L3F.pdf |
| Numéro d'article | RN1110MFV,L3F |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 150mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-723 |
| Package de périphérique fournisseur | VESM |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | RN1110MFV,L3F |
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