| Numero di parte del produttore | RN1110MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati |
| Quantità disponibile | 127060 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | RN1110MFV,L3F.pdf |
| Numero di parte | RN1110MFV,L3F |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | RN1110MFV,L3F |
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