Renesas Electronics America Distributeur www.qycomp.com RQJ0303PGDQA#H6
Référence fabricantRQJ0303PGDQA#H6
FabricantRenesas Electronics America
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible112870 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article RQJ0303PGDQA#H6
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) +10V, -20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 800mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 3-MPAK
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Renesas Electronics America Distributeur

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