Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com RQJ0303PGDQA#H6
Numero di parte del produttoreRQJ0303PGDQA#H6
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile112870 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RQJ0303PGDQA#H6.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RQJ0303PGDQA#H6
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (massimo) +10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-MPAK
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RQJ0303PGDQA#H6

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