| Référence fabricant | SCT20N120 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| quantité disponible | 15410 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SCT20N120.pdf |
| Numéro d'article | SCT20N120 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 175W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | HiP247™ |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | SCT20N120 |
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