Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SIZ200DT-T1-GE3
Référence fabricantSIZ200DT-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible169820 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH DUAL 30V
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SIZ200DT-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Puissance - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Poids 0.001 KG
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