Numero di parte del produttore | SIZ200DT-T1-GE3 |
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fabbricante | Vishay Siliconix |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 169820 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 30V |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SIZ200DT-T1-GE3.pdf |
Numero di parte | SIZ200DT-T1-GE3 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
Potenza - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | SIZ200DT-T1-GE3 |
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