Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SIZ200DT-T1-GE3
Numero di parte del produttoreSIZ200DT-T1-GE3
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile169820 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH DUAL 30V
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIZ200DT-T1-GE3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SIZ200DT-T1-GE3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potenza - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SIZ200DT-T1-GE3

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