| Référence fabricant | W987D2HBJX6E TR |
|---|---|
| Fabricant | Winbond Electronics |
| catégorie de produit | Mémoire |
| quantité disponible | 108970 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | W987D2HBJX6E TR.pdf |
| Numéro d'article | W987D2HBJX6E TR |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
| Fréquence d'horloge | 166MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5.4ns |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 90-TFBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | W987D2HBJX6E TR |
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