| 製造業者識別番号 | W987D2HBJX6E TR |
|---|---|
| メーカー | Winbond Electronics |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 利用可能な数量 | 108970 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | W987D2HBJX6E TR.pdf |
| 部品番号 | W987D2HBJX6E TR |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPSDR |
| メモリー容量 | 128Mb (4M x 32) |
| クロック周波数 | 166MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 5.4ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 90-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 90-VFBGA (8x13) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | W987D2HBJX6E TR |
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