製造業者識別番号 | W987D2HBJX7E TR |
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メーカー | Winbond Electronics |
製品カテゴリ | メモリ |
利用可能な数量 | 187830 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | W987D2HBJX7E TR.pdf |
部品番号 | W987D2HBJX7E TR |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Not For New Designs |
メモリの種類 | Volatile |
メモリフォーマット | DRAM |
技術 | SDRAM - Mobile LPSDR |
メモリー容量 | 128Mb (4M x 32) |
クロック周波数 | 133MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
アクセス時間 | 5.4ns |
メモリインターフェイス | Parallel |
電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.95 V |
動作温度 | -25°C ~ 85°C (TC) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 90-TFBGA |
サプライヤデバイスパッケージ | 90-VFBGA (8x13) |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | W987D2HBJX7E TR |
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