ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDFME3N311ZT
Numero di parte del produttoreFDFME3N311ZT
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile173530 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDFME3N311ZT.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDFME3N311ZT
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacchetto / caso 6-UFDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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