| Numero di parte del produttore | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - RF |
| Quantità disponibile | 23510 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | TRANSISTOR NPN US6 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | HN3C10FUTE85LF.pdf |
| Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 7GHz |
| Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Guadagno | 11.5dB |
| Potenza - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | HN3C10FUTE85LF |
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