| Número da peça do fabricante | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Quantidade disponível | 23510 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | TRANSISTOR NPN US6 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | HN3C10FUTE85LF.pdf |
| Número da peça | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 12V |
| Frequência - Transição | 7GHz |
| Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Ganho | 11.5dB |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | US6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | HN3C10FUTE85LF |
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