Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPG20N10S4L22AATMA1
Numero di parte del produttoreIPG20N10S4L22AATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile76320 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPG20N10S4L22AATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPG20N10S4L22AATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V
Potenza - Max 60W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPG20N10S4L22AATMA1

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