Numero di parte del produttore | IPT60R080G7XTMA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 192150 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | IPT60R080G7XTMA1.pdf |
Numero di parte | IPT60R080G7XTMA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | IPT60R080G7XTMA1 |
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