Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPT60R102G7XTMA1
Numero di parte del produttoreIPT60R102G7XTMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile126630 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPT60R102G7XTMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPT60R102G7XTMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 141W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8
Pacchetto / caso 8-PowerSFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPT60R102G7XTMA1

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Infineon Technologies Distributore

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