製造業者識別番号 | NGTD21T65F2WP |
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メーカー | ON Semiconductor |
製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - シングル |
利用可能な数量 | 96550 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | NGTD21T65F2WP.pdf |
部品番号 | NGTD21T65F2WP |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
IGBTタイプ | Trench Field Stop |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 650V |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | - |
電流 - コレクタパルス(Icm) | 200A |
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
電力 - 最大 | - |
スイッチングエネルギー | - |
入力方式 | Standard |
ゲートチャージ | - |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | - |
テスト条件 | - |
逆回復時間(trr) | - |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | Die |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | NGTD21T65F2WP |
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