Número da peça do fabricante | NGTD21T65F2WP |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
Quantidade disponível | 96550 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | NGTD21T65F2WP.pdf |
Número da peça | NGTD21T65F2WP |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 650V |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
Power - Max | - |
Mudança de energia | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do portão | - |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | Die |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | NGTD21T65F2WP |
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