| 製造業者識別番号 | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス |
| 利用可能な数量 | 60880 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | RN2712JE(TE85L,F).pdf |
| 部品番号 | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 周波数 - 遷移 | 200MHz |
| 電力 - 最大 | 100mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-553 |
| サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | RN2712JE(TE85L,F) |
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