| 제조업체 부품 번호 | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드 |
| 사용 가능한 수량 | 60880 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | RN2712JE(TE85L,F).pdf |
| 부품 번호 | RN2712JE(TE85L,F) |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 빈도 - 전환 | 200MHz |
| 전력 - 최대 | 100mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-553 |
| 공급 업체 장치 패키지 | ESV |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | RN2712JE(TE85L,F) |
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