ON Semiconductor 살수 장치 www.qycomp.com HGTP10N120BN
제조업체 부품 번호HGTP10N120BN
제조사ON Semiconductor
제품 카테고리트랜지스터 - IGBT - 단일
사용 가능한 수량187410 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 HGTP10N120BN.pdf

제품 속성

부품 번호 HGTP10N120BN
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Not For New Designs
IGBT 형 NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 35A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 80A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 298W
스위칭 에너지 320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 100nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 23ns/165ns
시험 조건 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 TO-220AB
무게 0.001 KG
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