ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com HGTP10N120BN
Número da peça do fabricanteHGTP10N120BN
FabricanteON Semiconductor
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Único
Quantidade disponível187410 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoIGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados HGTP10N120BN.pdf

Atributos do produto

Número da peça HGTP10N120BN
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Not For New Designs
Tipo IGBT NPT
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Corrente - Coletor pulsado (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Power - Max 298W
Mudança de energia 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do portão 100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 23ns/165ns
Condição de teste 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição HGTP10N120BN

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ON Semiconductor Distribuidor

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