Número da peça do fabricante | RJK2009DPM-00#T0 |
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Fabricante | Renesas Electronics America |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Quantidade disponível | 199500 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | RJK2009DPM-00#T0.pdf |
Número da peça | RJK2009DPM-00#T0 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3PFM |
Pacote / Caso | TO-3PFM, SC-93-3 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | RJK2009DPM-00#T0 |
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