Renesas Electronics America Distribuidor www.qycomp.com RJK2006DPE-00#J3
Número da peça do fabricanteRJK2006DPE-00#J3
FabricanteRenesas Electronics America
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível83850 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados RJK2006DPE-00#J3.pdf

Atributos do produto

Número da peça RJK2006DPE-00#J3
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 100W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 4-LDPAK
Pacote / Caso SC-83
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição RJK2006DPE-00#J3

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