Renesas Electronics America 配給業者 www.qycomp.com RJK2006DPE-00#J3
製造業者識別番号RJK2006DPE-00#J3
メーカーRenesas Electronics America
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量83850 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード RJK2006DPE-00#J3.pdf

製品の属性

部品番号 RJK2006DPE-00#J3
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 43nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 4-LDPAK
パッケージ/ケース SC-83
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 RJK2006DPE-00#J3

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