Renesas Electronics America Distributeur www.qycomp.com RJK2006DPE-00#J3
Référence fabricantRJK2006DPE-00#J3
FabricantRenesas Electronics America
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible83850 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article RJK2006DPE-00#J3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 4-LDPAK
Paquet / cas SC-83
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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