| Hersteller-Teilenummer | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 36900 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D.pdf |
| Artikelnummer | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
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