| Número de pieza del fabricante | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 36900 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D.pdf |
| Número de pieza | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
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