| Número da peça do fabricante | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de Produto | Memória |
| Quantidade disponível | 36900 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D.pdf |
| Número da peça | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de Memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
| Freqüência do relógio | 533MHz |
| Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de Memória | Parallel |
| Tensão - Fornecimento | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / Caso | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
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