Hersteller-Teilenummer | HGTD1N120BNS9A |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 131630 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | HGTD1N120BNS9A.pdf |
Artikelnummer | HGTD1N120BNS9A |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 5.3A |
Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 6A |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
Leistung max | 60W |
Energie wechseln | 70µJ (on), 90µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Ladung | 14nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/67ns |
Testbedingung | 960V, 1A, 82 Ohm, 15V |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | HGTD1N120BNS9A |
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