ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com HGTD1N120BNS9A
Numero di parte del produttoreHGTD1N120BNS9A
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile131630 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati HGTD1N120BNS9A.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte HGTD1N120BNS9A
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Potenza - Max 60W
Cambiare energia 70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 14nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 15ns/67ns
Condizione di test 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio HGTD1N120BNS9A

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