ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com HGTD1N120BNS9A
Número de pieza del fabricanteHGTD1N120BNS9A
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - IGBT - Simple
Cantidad disponible131630 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos HGTD1N120BNS9A.pdf

Atributos del producto

Número de pieza HGTD1N120BNS9A
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Corriente - colector pulsado (Icm) 6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Potencia - Max 60W
Conmutación de energía 70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 14nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 15ns/67ns
Condición de prueba 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
Peso 0.001 KG
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